Ai快讯 近期，多国芯片巨头纷纷上调产品报价。据央视财经报道，过去半年，全球存储芯片价格持续上扬，特别是近一个月，涨价消息愈发密集。
《科创板日报》不完全统计显示，9月下旬，三星电子发出第四季度提价通知，部分DRAM价格计划上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%；NAND闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价，价格涨幅约10%；9月16日，西部数据通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品价格；9月上旬，闪迪宣布面向所有渠道和消费者客户的NAND产品价格上调10%以上。
此次涉及涨价的存储芯片主要涵盖DRAM与NAND两种类型。DRAM是易失性半导体存储器，读取速度相对较快，但断电后数据消失，无法长期保存，近期受市场追捧的HBM也属此类；NAND属于非易失性存储，断电后数据仍能稳定留存，常用于存放海量数据和模型参数，SSD、HDD等均在此列。
摩根士丹利最新研报预测，在人工智能热潮推动下，存储芯片行业预计迎来“超级周期”。10月1日，OpenAI与三星电子、SK海力士达成初步供货协议，两家韩国公司将为“星际之门”（Stargate）项目供应存储芯片。韩国总统办公室透露，OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆。SK海力士公告称，这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多，凸显了“星际之门”项目规模之大以及全球人工智能发展之快。
在DRAM、HBM普遍昂贵且供给紧张的背景下，NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择。三星电子已着手开展HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，使用NAND闪存代替DRAM。“HBM之父”、韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，当前人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可作为补充。
摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。群联电子董事长潘健成近日表示，SSD将成为大容量存储的主流选择，但目前与HDD占比为2：8，由于SSD新增容量不足，预期2026年起NAND闪存将严重短缺，且未来十年供应都将紧张。
价格方面，NAND Flash价格涨幅已反超DRAM。据CFM闪存市场报价，2025年第三季度，NAND Flash市场综合价格指数上涨5%，DRAM市场综合价格指数上涨19.2%；9月单月，NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%，DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。
展望后续，TrendForce预计25Q4 NAND Flash价格将上涨5 - 10%。中信证券认为，后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期，2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。
（AI撰文，仅供参考）
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