Ai快讯 上证报中国证券网10月12日消息，记者刘礼文报道，工业X射线高端检测装备以及核心部件开放式X射线源（开管射线源）国产替代迎来重要进展。

日联科技当日对外宣布，其科研团队历经8年持续攻关，经过上千次实验测试，成功研发出国内首款开管射线源，并实现产业化应用。该开管射线源具备纳米级分辨率，使我国在高端X射线源领域从技术追赶实现了与全球并跑的跨越式突破，在开放式射线源技术领域取得革命性成果。同时，公司搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源的开管X - RAY智能检测装备已实现小批量出货。

开管射线源具有焦点尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特点，主要用于高精密工业检测。纳米级开管射线源可通过控制电子束，观察芯片内部深层缺陷，是支撑半导体制造业向更小、更复杂、更集成方向发展的关键质控工具。

据日联科技相关人士介绍，全球能独立研发和生产高性能纳米级开放式X射线源的公司屈指可数。日联科技自2012年成立基础研发团队，通过上千次实验和工艺调整，搭建了极其精密的电子光学系统。团队掌握了基础理论、关键材料、复杂制备工艺等技术，实现靶材镀膜、焊接技术等全流程工艺可控，完成了国内首款开放式射线源技术的自主与创新突破。

目前，UNOS系列160kV开管射线源已形成标准化生产流程，可批量生产，这奠定了日联科技在工业检测行业的龙头地位，使其在技术路线选择和市场竞争中占据更主动的战略地位。

以日联开管X - RAY半导体智检装备AX9600为例，它颠覆了传统装备在第三代半导体缺陷识别精度与失效分析方面的瓶颈，能保证0.8μm级缺陷全捕捉、纳米级成像及零缺陷质控全流程闭环。该设备采用日联自研160kV开放式微聚焦X射线源，拥有超大几何放大倍率和高清晰实时成像能力，可完成半导体产品爬锡高度、连锡、虚焊、漏焊、短路等封装缺陷和空洞、裂纹等内部结构缺陷检测。其强穿透能力搭配高放大倍率，可完成3D/系统级封装、IC压焊等工艺中多种类缺陷检测，以及捕捉TGV和TSV工艺中微小对象的纤细细节。

此外，该设备还搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源，能轻松穿透厚密材质，适用于检测高密度集成电路和第三代半导体（SiC、GaN）的内部结构缺陷。最高可实现2000倍几何放大倍率，结合微焦点X射线源，可实现最小0.8μm高精度检测，清晰呈现比头发丝细100倍的芯片内部结构，完成纳米级缺陷分析。完整2.5D可实现360°全方位XY检测，无死角解析隐藏在芯片底部的焊点空洞或互连桥接、断裂等缺陷。

更值得一提的是，AX9600通过AI加持提升图像质量，标配半导体自动检测算法，单点0.8秒快速解析，检测效率较传统人工提升2000%。它可提供21:9超宽视域，全景视域覆盖，可进行多窗口操作，实现跨尺度联动，还能实现双摇杆控制多动作操作，方便产品多角度观测。

经过严苛的产业化验证周期，AX9600已在多个尖端生产基地部署，其突破性的百纳米级缺陷追溯能力大幅提升了先进封装工艺的检测精度，推动行业良率突破历史性阈值。该设备成功扭转了高端检测装备长期依赖进口的产业格局，带动国产设备市占率实现跨越式提升。市场验证显示，该创新产品构建起第三代半导体检测的新标准体系，并形成显著的商业价值转化。

随着产品在集成电路和半导体领域的持续渗透，AX9600已展现出强劲的持续增长动能，推动日联科技价值进阶。目前，开管系列X射线检测设备更多型号正在顺利研发中，后续将陆续推出并实现产业化，相关设备家族将不断壮大。同时，公司开管射线源系列更多型号也在顺利研发中，将助力解决纳米级高精度世界各类物理性缺陷和损伤。

（AI撰文，仅供参考）