互联网大厂密集布局端侧AI硬件,存储芯片Q4或涨价35%!重仓半导体材料设备超80%的芯片设备ETF(560780)盘中涨超2%创近20日新高!

<{$news["createtime"]|date_format:"%Y-%m-%d %H:%M"}>  有连云 2521阅读 2025-12-12 15:30

机构Omdia根据其最新研究表示,半导体行业2025年第三季度的营收达到2163亿美元,首次突破单季2000亿美元大关,环比实现14.5%增长。按目前情况预测,2025全年半导体营收将站上8000亿美元。

受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中AI芯片需求激增,SEMI预计2025年全球300mm晶圆厂设备支出将首次超过1,000亿美元,2026年至2028年间中国大陆300mm晶圆厂设备投资总额预计达940亿美元,继续领先全球。中邮证券认为,随着先进制程推进,晶体管结构由平面转向3D立体,叠加背面供电网络(BSPDN)等新技术发展,对刻蚀、薄膜沉积等半导体设备的需求将持续提升。

此外,全球内存技术正进入“多赛道并行迭代”阶段,HBM凭借3D堆叠技术突破带宽瓶颈,已成为AI芯片标配;CXL通过架构重构推动数据中心内存池化;HBF利用NAND闪存特性聚焦AI推理场景;LPDDR与GDDR则分别针对移动/车载和图形/AI推理进行优化。SEMI数据显示,未来三年Memory领域设备投资预计达1,360亿美元,其中DRAM相关设备投资超790亿美元,3D NAND投资达560亿美元。随着3D NAND堆叠层数向千层迈进,刻蚀设备用量占比显著上升,ALD与CVD协同工艺成为主流,对设备性能提出更高要求。中邮证券指出,这一趋势将带动刻蚀、薄膜等环节设备需求大幅增长。

瑞银在最新报告指出,存储行业正面临前所未有的供需紧张局面。瑞银预计,DRAM(动态随机存取存储器)供应短缺预计将持续至2027年第一季度,其中DDR内存的需求料增长20.7%,远超供应增速。NAND闪存的短缺态势则预计将持续至2026年第三季度。这一短缺局面引发了近30年来最猛烈的一轮价格上涨周期。瑞银预计,今年第四季度,DDR 合约定价环比上涨35%,NAND闪存价格上涨 20%,涨幅均超出此前预期。2026年第一季度,DDR合约定价将进一步上涨30%,NAND价格上涨20%。

国内方面,近期阿里旗下夸克AI眼镜正式发布,搭载高通AR1旗舰芯片与恒玄BES2800芯片双芯设计,接入阿里千问大模型,支持语音提词器、智能识别、随身翻译等功能;字节跳动也发布了豆包手机助手技术预览版,可在操作系统层面实现AI对手机的自主操作,完成查票订票、批量下载等复杂任务;华为同期推出情感陪聊AI玩具“憨憨”,接入小艺大模型,拓展情绪陪伴场景。江海证券认为,互联网大厂密集布局端侧AI硬件,标志着AI应用正从云端向终端加速渗透,推动消费电子创新周期开启,相关产业链将迎来结构性增长机遇。

今年7月,据证监会官网披露,长鑫科技集团股份有限公司正式开启IPO辅导备案。资料显示,长鑫存储成立于2016年,专注于DRAM芯片的设计、研发、生产和销售。目前,长鑫存储已完成IPO辅导,当前其在DDR5和LPDDR5产品上正实现显著增长,Counterpoint预测,长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%,在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%,先进制程技术发展迅猛。

随着海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品,传统存储的供需缺口具有持续性,因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升。国金证券分析指出,半导体设备位于产业链上游,是支撑芯片制造与封测的核心产业;2025年或是国产半导体设备订单增长与业绩兑现的大年。后续随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进,叠加长鑫、长存等国内存储大厂扩产项目落地,国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇。

场内ETF方面,截至2025年12月12日 13:08,中证半导体材料设备主题指数强势上涨2.34%,芯片设备ETF(560780)上涨2.16%,盘中价格创近20日新高。成分股天岳先进上涨7.45%,晶瑞电材上涨7.01%;前十大权重股合计占比64.75%,其中权重股拓荆科技上涨8.57%,南大光电上涨4.00%,华海清科、中微公司等跟涨。

规模方面,截至2025年12月11日,芯片设备ETF近3月规模增长12.10亿元,实现显著增长。份额方面,芯片设备ETF近3月份额增长7.21亿份,实现显著增长。

芯片设备ETF(560780):紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数,根据申万三级行业分类,指数重仓半导设备超60%、半导体材料超20%,合计权重超80%。涵盖中微公司、北方华创、拓荆科技等设备龙头公司。场外联接(A:020639;C:020640)。

来源:有连云

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