Ai快讯 上交所官网12月30日晚间显示，长鑫科技集团股份有限公司申报科创板IPO获交易所受理。

长鑫科技申报科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。

长鑫科技是今年7月科创板市场改革新政后，首家采用IPO预先审阅机制申报上市的公司。该制度旨在避免特定情形的科技型企业，因过早披露业务技术信息、上市计划而可能对其生产经营带来重大不利影响。

12月30日长鑫科技申报获受理同日，上交所网站同步披露两轮审核问询回复。综合两轮交易所问询来看，长鑫科技控制权、盈利持续性、与兆易创新关联交易、研发支出资本化等问题是监管关注的核心焦点。

长鑫科技成立于2016年，是中国动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。根据Omdia数据，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

招股书显示，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化产品方案，产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。

招股书披露，长鑫科技2025年1 - 9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元。其中，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。

盈利情况方面，2024年长鑫科技净亏损90亿元，据招股书全年业绩预计情况，2025年该公司预计实现净利润20亿元至35亿元，归母净利润为 - 16亿元至 - 6亿元，归母扣非净利润为28亿元至30亿元。长鑫科技表示，2025年，随着公司产销规模增长、产品结构优化，以及下半年以来DRAM产品价格上涨，公司预计实现营业收入较上年同期增加，净利润转正，归属于母公司所有者的净利润亏损金额较上年收窄。

在上市报告期各期，长鑫科技主营业务毛利率分别为 - 3.67%、 - 2.19%、5.00%和12.72%。该公司表示，报告期内，受持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，公司产品生产成本较高，同时，公司工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比有差距，产品结构处于优化状态，公司毛利率水平与国际前三家厂商有差异。

招股书显示，2025年7 - 9月，在DRAM产品市场价格上涨、长鑫科技产销规模提升等因素带动下，该公司营业收入较2024年7 - 9月同比增长148.80%，综合毛利率上升至35.00%。

截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。

长鑫科技无控股股东、无实际控制人，清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有该公司21.67%、11.71%、8.73%、8.37%及7.91%的股权。

招股书所披露的长鑫科技股权架构中，安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。

长鑫科技董事长为朱一明，对长鑫科技合计持股比例为2.67%。朱一明为1972年生人，清华大学及纽约州立大学双硕士背景，拥有新加坡永久居留权。朱一明目前还是A股上市公司兆易创新的董事长。兆易创新由朱一明2005年从美国硅谷归国创办，目前A股最新市值达1470亿元，该公司同时正在冲刺在港交所的二次上市。

（AI撰文，仅供参考）