龙头业绩不断超预期，存储周期或已跳脱“换机潮”概念

以往，存储芯片周期与终端换机潮历来呈现强耦合的反馈关系，智能手机与PC的换机周期是触发存储需求爆发的核心变量。例如，2016-2017年的存储牛市即由iPhone 7系列引发的换机潮与三星Note 7退市导致的供给缺口共振而成。

但本轮AI周期正重塑这一传统逻辑，与历史上由消费电子出货量驱动的3-4年周期不同，本轮行情呈现明显的"AI导向"特征，供需错配程度与价格弹性均超越2018年历史高点，近期的三星、海力士、美光等存储行业龙头业绩不断超预期，是否预示着存储或已进入“大周期”？

从数据分析，2025年DDR4 16Gb价格涨幅高达1800%，DDR5涨幅达500%，512Gb NAND闪存涨幅达300%。Counterpoint Research指出，供应商议价能力已达历史最高水平，预计2026年一季度存储价格继续上涨40%-50%，二季度再涨约20%。

图：DRAM与NAND价格周期走势

数据来源：Wind 截至：2026.01.28

供需错配成核心变量，HBM产能挤压引发结构性短缺

供给端的产能迁移是本轮周期的核心变量。三星、SK海力士、美光三大原厂将30%产能转向AI服务器所需的HBM4及先进制程，导致传统DRAM产能锐减。由于HBM生产工艺复杂，生产1GB HBM消耗的晶圆产能是DDR5的3倍，常规DRAM产能被大幅挤压。

三星电子最近公布了一份令人瞩目的财报。2025年第四季度，公司营业利润达到20.1万亿韩元，同比增长超过200%，创下历史新高。

另一家存储巨头——SK海力士在AI内存竞赛中表现出色，被业内视为“亚洲最大的AI赢家之一”。2025年全年，公司营收达到97.147万亿韩元，同比增长近50%；营业利润更是翻倍增长，达到47.206万亿韩元。

原厂扩产需2-3年周期，本轮存储景气度有望延续

在AI需求的带动下，存储行业从HBM领域延伸至传统存储领域开启了本轮全面上行周期。Counterpoint Research预计2026年一季度存储价格环比上涨40%-50%，二季度再涨约20%。花旗与摩根士丹利预测2026年全年DRAM均价上涨88%，NAND上涨74%。

原厂扩产产能有限，新增晶圆厂需2-3年建设周期，2027年前难以形成有效供给。云服务商（CSP）的AI资本开支具备强韧性，即使PC与智能手机因高价抑制换机需求，企业级存储仍能支撑高位价格。国金证券与花旗均认为，产业高景气度将贯穿2027年全年。

从历史维度看，2016-2018年的存储上行周期持续约8-9个季度，而本轮周期已自2023年底启动，至今运行约6个季度。考虑到云厂商买方的财力雄厚特性及AI基础设施建设的长期性，本轮周期总长度可能达12-14个季度（至2027年底），显著超越历史均值。

国产存储产业或迎来历史性机遇，带动半导体设备景气度上行

存储芯片价格持续上行正为国产产业创造历史性战略窗口。本轮超级周期中，国内厂商凭借技术突破与资本化布局双轮驱动，加速缩小与国际龙头的技术代差，市场份额提升逻辑持续强化。

产业层面，以长鑫存储（内存）、长江存储（闪存）为双核心的国产阵营正系统性发力。通过IPO融资夯实资本实力、加快产能布局、推进技术升级，国内存储产业已迎来竞争力跃升的关键阶段。在全球供应链重构与价格周期共振背景下，国产存储厂商正从"跟跑"向"并跑"跨越，产业链发展窗口已然确立，带动了半导体设备的景气度不断上行。

半导体设备ETF易方达(159558)或值得关注，该产品紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数，中证半导体材料设备主题指数选取40只业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，反映半导体材料和设备上市公司证券的整体表现。相关联接基金（A/C：021893/021894）