Ai快讯 2月19日消息，三星正在就其最新一代人工智能存储芯片的定价进行谈判，计划将HBM4组件售价定在约700美元，较HBM3E高出20%至30%。受此消息影响，当日三星电子股价创下历史新高，盘中一度涨超5%。
彭博分析师Masahiro Wakasugi指出，700美元的定价意味着三星HBM4营业利润率达50%至60%。盛宝市场首席投资策略师Charu Chanana表示，三星HBM4的量产与定价凸显该行业“定价权”，表明AI存储芯片市场供应紧张，三星在高端芯片市场重新获得一定定价话语权。
报道显示，SK海力士预计也将提高HBM4价格。去年8月，该公司向英伟达供应的HBM4单价约为500美元。Masahiro Wakasugi分析，若三星向英伟达供应更多HBM芯片，2026年三星与SK海力士平均售价差距将缩小，因为面向英伟达的芯片定价高于其他客户。
有行业人士透露，英伟达去年12月初步分配了今年HBM供应份额，SK海力士获得55%以上，三星电子占20%多至接近30%，美光科技约20%。面对AI带来的HBM需求增长，厂商开启激进资本开支计划，SK海力士资本开支从2024年四季度的7万亿韩元，预计增至2025年三季度的12万亿韩元。
2月14日，英伟达CEO黄仁勋在英伟达总部附近一家韩式炸鸡餐厅，花约两小时为30多名SK海力士和英伟达工程师调制烧啤、敬酒，并提及SK海力士承诺供应的第六代HBM4产品。
面对人工智能驱动的内存芯片需求增加，三星电子与SK海力士加速推进新建晶圆厂投产进程，战略从谨慎控货转向积极扩产。
SK海力士计划将龙仁一期晶圆厂试运行时间提前至明年2月至3月，在竣工前启动。三星电子将平泽P4工厂投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划提前约3个月。两家公司均在新产线重点部署高性能DRAM与HBM等高附加值产品。
市场人士分析，两家公司加速扩产是因AI数据中心扩张使服务器高性能DRAM需求增加。生产线集中生产HBM芯片，通用DRAM产量减少，加剧供应紧张。Omdia数据显示，三星电子DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至今年的817.5万片，SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片，随着新工厂提前投产，明年产量有望进一步增长。
摩根大通等市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至2027年。三星电子和SK海力士在业绩发布会上表示，将增加今年资本支出应对内存短缺。三星电子内存事业部副总裁Kim Jae - june称，2026年将大幅扩大设备投资规模，但今明两年设备扩张受限，供应短缺现象可能加剧。
（AI撰文，仅供参考）
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