截至2025年11月6日 09:39，上证科创板芯片指数强势上涨2.21%，成分股源杰科技上涨14.37%，盛科通信上涨4.34%，海光信息上涨3.92%，峰岹科技，佰维存储等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨2.04%，最新价报2.45元。拉长时间看，截至2025年11月5日，科创芯片ETF博时近3月累计上涨41.28%。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手1.3%，成交920.96万元。拉长时间看，截至11月5日，科创芯片ETF博时近1月日均成交1.23亿元。

今日开盘，指数走强，创业板指拉升涨逾1.00%，沪指涨0.11%，深成指涨0.66%。存储芯片、SOFC等方向涨幅居前，沪深京三市上涨个股近2200只。

消息方面，SK海力士已证实其作为HBM市场最强厂商的地位——其向全球最大人工智能半导体公司英伟达供应的第六代高带宽内存（HBM4）价格较前代产品（HBM3E）涨幅超过50%。通过成功完成与英伟达关于明年HBM4供应的谈判，SK海力士已为创造破纪录的业绩铺平道路。今年3月，SK海力士率先向英伟达交付全球首款12层堆叠的HBM4样品。在获得积极评估后，该公司于6月开始初期供货。与此同时，SK海力士就英伟达计划明年下半年发布的下一代AI芯片”Rubin”所需HBM4展开了价格谈判。

国信证券指出，TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格环增18%-23%，含HBM的整体DRAM价格环增23%-28%，预计涨幅较前次明显上调；预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%-10%，存储进入持续涨价阶段，叠加手机、服务器市场打开国产化空间，我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。

机构指出，坚定看好本轮存储上升周期没有变化，Q4存储涨价或超预期。本轮周期的重要变量是AI，是需求端爆发驱动的大周期！25年以来多模态模型和AI应用的落地，亦还是用户数量和tokens的指数级增长，AI技术和产品底层的变革拉动了eSSD、HBM等AI存储需求开始集中爆发，下游CSP客户开始给出未来需求的高指引，往后展望看好存储需求与tokens、推理、模型、应用数量等因素呈现正相关。同时因26年DRAM及NAND产能扩产有限，看好存储周期至少延续到26年下半年。

资金流入方面，半导体产业ETF最新资金流入流出持平。拉长时间看，近5个交易日内有3日资金净流入，合计“吸金”5487.57万元，日均净流入达1097.51万元。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2025年10月31日，上证科创板芯片指数前十大权重股分别为海光信息、寒武纪、澜起科技、中芯国际、中微公司、芯原股份、华虹公司、拓荆科技、佰维存储、沪硅产业，前十大权重股合计占比60.55%。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）

以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）

风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况，结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险，不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。