截至2025年11月20日 09:43，上证科创板芯片指数上涨0.39%，成分股天岳先进上涨4.47%，东芯股份上涨3.01%，有研硅上涨2.87%，芯原股份上涨1.97%，中巨芯上涨1.68%。科创芯片ETF博时(588990)高开涨近2%，现上涨0.38%，最新价报2.36元。拉长时间看，截至2025年11月19日，科创芯片ETF博时近3月累计上涨26.61%。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手1.56%，成交1123.55万元。拉长时间看，截至11月19日，科创芯片ETF博时近1月日均成交8763.49万元。

据报道，三星公布首批2纳米芯片性能数据，加速追赶台积电。三星电子公布了其即将推出的2nm芯片工艺的首批性能数据，标志着该公司将更加积极地推进下一代晶圆代工制造，以缩小与台积电的差距。三星宣布，其首代2nm工艺采用了全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代3nm工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。这是三星首次发布2nm的具体规格，此前仅出现概念性描述。

继DRAM大幅涨价后，闪存（Flash）也全面涨价。据CFM闪存市场最新报价，11月19日，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上涨，最高涨幅38.46%。具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。

近期，全球存储原厂密集上调产品价格，三星将部分DDR5内存芯片价格较9月上调30%-60%，闪迪第三次调涨NAND闪存合约价，涨幅高达50%，美光则宣布停止DDR4/DDR5产品报价。此轮涨价主要受AI驱动的企业级资本支出激增影响，TrendForce预计2025年全球八大CSP资本支出总额同比增长65%，合计超4300亿美元，而供给端原厂正削减NAND产能并向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，供需紧张局面有望延续至2026年全年。

国信证券分析认为，随着全球存储进入涨价周期，国内外存储晶圆厂扩产意愿增强，而长存、长鑫IPO临近将进一步推动三期扩产计划落地。拓荆科技作为国内薄膜沉积设备龙头，其PECVD、ALD等先进设备陆续通过客户验收，合同负债达48.94亿元，订单饱满。公司在HBM及先进封装领域布局W2W、D2W键合等八大类产品，有望充分受益于AI算力驱动下的先进封装需求爆发。

规模方面，科创芯片ETF博时近1月规模增长2773.89万元，实现显著增长。

资金流入方面，科创芯片ETF博时最新资金净流出945.08万元。拉长时间看，近10个交易日内，合计“吸金”3399.41万元。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2025年10月31日，上证科创板芯片指数前十大权重股分别为海光信息、寒武纪、澜起科技、中芯国际、中微公司、芯原股份、华虹公司、拓荆科技、佰维存储、沪硅产业，前十大权重股合计占比60.55%。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）

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