Ai快讯 在谷歌Gemini 3.0、阿里千问、灵光等AI大模型应用带动下，全球投资者重拾对AI的信心。存储芯片作为AI基础设施重要物料，再度受到投资者青睐。11月24日至25日，国内外存储概念股反弹。

业内认为存储芯片涨价空间大，且至少持续至明年年中，后续DDR5价格涨幅更可观。国际存储大厂调高产品价格，国内存储厂商跟进涨价。

11月23日，长鑫存储发布最新DDR5产品系列。

随着存储价格上涨，大小容量存储芯片供应紧张，产业链各方处于“找货、备货”状态。某存储芯片分销商负责人表示，因价格上涨，难以拿到全部订单量的芯片。某国内存储芯片公司相关人士称，NAND和NOR价格持续上涨且缺货。

兆易创新副董事长、总经理何卫在2025年第三季度业绩说明会上表示，利基型DRAM市场供不应求，因AI基建使主流应用对主流DRAM产品需求大增，海外大厂将经营重心转向HBM、DDR5等主流产品，挤占利基型DRAM产能。何卫还表示，公司宣布NOR Flash温和涨价，端侧AI发展推动NOR Flash容量需求提升，第三方咨询机构将行业CAGR从5%至7%上调为8%。今年三季度起，NOR Flash处于温和涨价周期，SLC NAND产品开始涨价。

记忆体模组龙头企业威刚董事长陈立白11月24日表示，存储缺货进入20年来最严重局面，客户实际拿到的量仅为下单量的三成，产业不存在重复下单问题。

某国内存储厂商人士认为，相较于9月价格，存储芯片至少还有50%上涨空间。从今年初到9月，该公司DRAM价格上涨2倍，NAND价格上涨1倍，NOR Flash价格上涨约30%。

三星电子11月提高部分内存芯片价格，较9月上涨最多达60%。闪迪11月大幅调涨NAND合约价格，涨幅达50%。

中芯国际表示，当前手机市场存储器紧缺，价格上涨厉害。小米集团总裁卢伟冰表示，AI带动HBM需求激增，内存价格上涨是长周期行为，小米未来可能通过涨价应对成本上升。

本轮存储涨价特征包括：需求驱动从手机/PC转向AI云服务；供应链更集中，三星、SK海力士、美光占据全球70%市场份额，大厂易操纵价格。中芯国际称，存储供应短缺或过剩5%可能使价格成倍波动。券商机构认为，本轮存储供需缺口或达20%至30%。

TrendForce集邦咨询将第四季度Conventional DRAM价格预估涨幅从8%至13%上调为18%至23%，且可能再度上调。

DDR5呈现“卖方市场”格局，DDR4与DDR5价格倒挂。业内预计，DDR5明年价格涨幅更可观。一方面，DDR4短缺使PC厂商等加速导入DDR5，增加需求；另一方面，AI算力需求释放，对HBM、DDR5需求提升。自9月以来，DDR5模块价格上涨高达60%。

陈立白表示，DDR4、DDR5都供不应求，预计第四季度起，DDR5报价涨幅超过DDR4。

某国内存储公司表示，会观察、跟上兆易创新的产品涨价趋势。

某芯片行业资深人士认为，海外厂商扩产谨慎，长江存储、长鑫科技或成为终结本轮存储涨价的“主力军”，最早时间节点为明年年中。

陈立白认为，本轮存储合约涨价趋势至少持续两至三个季度，2026上半年DRAM与NAND Flash仍将全面缺货。

宏碁董事长暨首席执行官陈俊圣在11月20日公司法人说明会上表示，2025年全球DDR5内存产能缺口约为15%，需求以每年20%的速度增长，中国DDR5产能跟上，缺货问题可解决，价格将稳定。

（AI撰文，仅供参考）