Ai快讯 放眼存储芯片行业，“涨价”成为焦点。SK海力士与英伟达完成HBM4供应谈判，HBM4供应价格比HBM3E高出50%以上。

在AI大模型浪潮推动下，数据中心对高容量、低功耗存储芯片需求激增，内存和储存元件供不应求，全球存储芯片进入新一轮涨价周期。

受此消息影响，隔夜美股存储芯片概念股上涨。美光科技涨近9%，股价创历史新高；西部数据涨超5%，希捷科技涨超10%，闪迪涨超11%。

涨价情绪蔓延至A股市场，早盘存储芯片板块冲高。香农芯创一度创新高，德明利、江波龙、普冉股份等跟涨。高带宽内存概念股涨幅显著，香农芯创、精智达、炬光科技、拓荆科技4股年内股价翻倍。

产业升级需求与政策支持推动模拟芯片国产化进程加速，为本土厂商创造市场机遇和发展环境。

机构认为，需求激增使全球存储芯片进入新一轮涨价周期，国产DRAM领域取得重大突破，叠加行业景气度回升，看好存储芯片板块后市表现。

截至11月5日，科创芯片ETF近2年净值上涨101.46%，自成立以来，最高单月回报为35.07%，最长连涨月数为4个月，最长连涨涨幅为74.17%。截至10月31日，上证科创板芯片指数前十大权重股分别为海光信息、寒武纪、澜起科技、中芯国际、中微公司、芯原股份、华虹公司、拓荆科技、佰维存储、沪硅产业，前十大权重股合计占比60.55%。

集邦咨询将第四季度Conventional DRAM价格预估涨幅从8%-13%上调至18%-23%，且有可能再度上调。

长鑫存储宣布量产LPDDR5X产品，包括颗粒、芯片及模组等形态。颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品于今年5月量产，10677Mbps速率的产品已启动客户送样。长鑫存储通过创新封装技术和优化内存设计，使LPDDR5X产品在容量、速率、功耗上有显著提升，最高速率为10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升66%，功耗比LPDDR5降低30%。

翻阅A股存储芯片企业三季报，部分企业受益于AI产业趋势、行业需求回暖、产品结构优化等实现净利润增长。兆易创新前三季度净利润为10.83亿元，增长30.18%，预计NOR Flash明年全年价格维持整体温和上涨态势。江波龙前三季净利润7.1亿元，同比增长27.95%，第三季度营收为65.39亿元，同比增长54.6%，净利润为6.98亿元，较去年同期扭亏为盈。

也有企业因研发投入增加、资产减值、市场竞争等出现净利润下滑甚至亏损，一些厂商感受到下游消费电子需求复苏慢、库存积压。

存储芯片直接供应商最先受益。长鑫存储、长电科技等国内存储龙头，受益于价格回升和国产替代加速，长鑫存储扩产计划将在未来两年释放巨大产能。

上游材料企业迎来量价齐升。江丰电子的靶材、鼎龙股份的CMP抛光垫、安集科技的抛光液等关键材料，受益于存储芯片产能提升。

存储模组厂商享受库存重估。朗科科技、佰维存储等模组厂商手中的库存，随芯片价格上涨获得重估收益，毛利率有望修复。

设备供应商获得新增订单。中微公司、北方华创等设备企业，受益于存储芯片产线的扩产和升级需求。

多家厂商上调价格，全球存储芯片市场加速步入“超级周期”，未来涨价热潮或加剧。外部压力转化为内部创新动力，推动中国在关键科技领域走向自主可控与产业升级。

（AI撰文，仅供参考）